STMicroelectronics STK800

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PolarPak®

引脚数

10

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

5.2W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.8mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

STK8

引脚数量

10

JESD-30代码

R-XDSO-N4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

5.2W

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.8m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.4nC @ 4.5V

上升时间

50ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

双电源电压

30V

栅源电压

2.5 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅