STMicroelectronics STL36DN6F7

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

38 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

PowerFLATTM_8256945_DI_typeC

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

33A Tc

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

12.1 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STL36

JESD-30代码

R-PDSO-F6

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

58W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.85 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

420pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 10V

连续放电电流(ID)

33A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

36A

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

144A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

175°C

场效应管特性

Standard

高度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant