STMicroelectronics STS5DNF60L
- 收藏
- 对比
STS5DNF60L
2381-STS5DNF60L
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 8-Pin SO N T/R
--最小包装量--
STS5DNF60L详情
STMicroelectronics STS5DNF60L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
45 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
低阈值
最大功率耗散
2W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
基本部件号
STS5D
引脚数量
8
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1030pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 4.5V
上升时间
28ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5A
漏极-源极导通最大电阻
0.055Ohm
DS 击穿电压-最小值
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STS5DNF60L拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。