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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.045314
10
¥12.306902
100
¥11.610283
500
¥10.953099
1000
¥10.333115
STMicroelectronics STL3NK40
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STL3NK40
2381-STL3NK40
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 400V 0.43A 8PWRFLAT
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STL3NK40详情
STMicroelectronics STL3NK40重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
430mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Tc
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperMESH™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
基本部件号
STL3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5 Ω @ 220mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
上升时间
4ns
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
430mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
400V
反馈上限-最大值 (Crss)
6 pF
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STL3NK40拓展信息
STMicroelectronics
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