STMicroelectronics STL60N10F7
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STL60N10F7
2381-STL60N10F7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
--最小包装量--
STL60N10F7详情
STMicroelectronics STL60N10F7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
46A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
5W Ta 72W Tc
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
18mOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STL60
元素配置
Single
接通延迟时间
15.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1640pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
16.8ns
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
46A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
高度
950μm
长度
5.4mm
宽度
6.35mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL60N10F7拓展信息
STMicroelectronics
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