STMicroelectronics STL65N3LLH5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

22.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ V

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

5.8mOhm

端子位置

DUAL

基本部件号

STL65

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.8m Ω @ 9.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

上升时间

14.5ns

Vgs（最大值）

±22V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

22V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

65A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76A

双电源电压

30V

栅源电压

1 V

高度

880μm

长度

4.75mm

宽度

5.75mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅