STMicroelectronics STL70N10F3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

82A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Turn Off Delay Time

43 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

STripFET™ III

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

基本部件号

STL70

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

136W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3210pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56nC @ 10V

上升时间

11ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5.7 ns

连续放电电流(ID)

82A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64A

雪崩能量等级（Eas）

770 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant