注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.603379
10
¥8.116397
100
¥7.656978
500
¥7.223562
1000
¥6.814683
STMicroelectronics STLD128DNT4
- 收藏
- 对比
STLD128DNT4
2381-STLD128DNT4
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

TRANS NPN 400V 4A DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STLD128DNT4详情
STMicroelectronics STLD128DNT4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Current-Collector (Ic) (Max)
4A
Number of Elements
1
hFEMin
8
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
20W
终端形式
鸥翼
基本部件号
STLD128
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
20W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
8 @ 2A 5V
最大集极截止电流
250μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 400mA, 2A
最大击穿电压
400V
发射极基极电压 (VEBO)
9V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STLD128DNT4拓展信息















哦! 它是空的。