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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.843511
10
¥2.682557
100
¥2.530715
500
¥2.387465
1000
¥2.252325
STMicroelectronics STN878
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- 对比
STN878
2381-STN878
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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TRANS NPN 30V 5A SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STN878详情
STMicroelectronics STN878重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
hFEMin
35
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
1.6W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STN878
引脚数量
4
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
1.6W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
1.2V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 500mA, 10A
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STN878拓展信息














哦! 它是空的。