注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
STN878
品牌
STMicroelectronics
utmel 编号
2381-STN878
商品类别
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
封装
TO-261-4, TO-261AA
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRANS NPN 30V 5A SOT-223
起订量
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STN878详情
技术参数
PDF文档
型号对比
STMicroelectronics STN878重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
包装/外壳
安装类型
表面贴装
底架
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
35
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
1.2V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.2V @ 500mA, 10A
最大击穿电压
集电极基极电压(VCBO)
45V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
技术文档: STMicroelectronics STN878.
右边的3个型号有着和STMicroelectronics & STN878相似的参数规格。
Surface Mount
30 V
5 A
1.6 W
ON Semiconductor
25 V
300
2.5 W
Diodes Incorporated
50
1 W
1.2 A
20000
-
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STN878拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:BD139
封装:TO-225AA, TO-126-3
品牌:STMicroelectronics
库存:204000
型号:TIP127
封装:TO-220-3
库存:1912750
型号:TIP122
库存:644480
型号:BU508AW
封装:TO-247-3
库存:12000
型号:BD140-16
库存:20000
型号:TIP147
¥13.266959
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