STMicroelectronics STS26N3LLH6

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

26A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.7W Ta

Turn Off Delay Time

75 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.4mOhm

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

STS26

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.4m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4040pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 4.5V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

46 ns

连续放电电流(ID)

26A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

525 mJ

栅源电压

1 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅