STMicroelectronics STW55NM60ND

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

51A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350W Tc

Turn Off Delay Time

188 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

FDmesh™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

60MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

基本部件号

STW55N

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350W

接通延迟时间

33 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 25.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5800pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

190nC @ 10V

上升时间

68ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

96 ns

连续放电电流(ID)

51A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

204A

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

24.45mm

长度

15.75mm

宽度

5.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅