STMicroelectronics TIP121

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

65W

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

4V

hFEMin

1000

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

80V

额定电流

5A

基本部件号

TIP121

极性

NPN

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

2W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 3A 3V

最大集极截止电流

500μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 20mA, 5A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

VCEsat-最大值

4 V

高度

15.75mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅