Texas Instruments CSD13202Q2

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-VDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.7W Ta

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD13302

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.3m Ω @ 5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

997pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.6nC @ 4.5V

上升时间

28ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

13.6 ns

连续放电电流(ID)

22A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

12V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

长度

2mm

宽度

2mm

器件厚度

750μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅