Texas Instruments CSD16407Q5C

生命周期状态

NRND (Last Updated: 4 weeks ago)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD16407

引脚数量

8

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.9V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2660pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 4.5V

上升时间

18.4ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

+16V, -12V

下降时间（典型值）

9 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.0033Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

25V

栅源电压

1.6 V

高度

1.05mm

长度

5mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅