Texas Instruments CSD16408Q5

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Ta 113A Tc

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 250μA

Turn Off Delay Time

11 ns

系列

NexFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD16408

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.9nC @ 4.5V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

+16V, -12V

下降时间（典型值）

10.8 ns

连续放电电流(ID)

113A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

DS 击穿电压-最小值

25V

长度

5mm

高度

1.05mm

宽度

6mm

器件厚度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

含铅