Texas Instruments CSD17552Q3A

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta 60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.6W Ta

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD17552

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.9V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2050pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

上升时间

7.4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.4 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

36 pF

高度

900μm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

800μm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅