Texas Instruments CSD19532Q5BT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 195W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD19532

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.9m Ω @ 17A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4810pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17A

漏极-源极导通最大电阻

0.0057Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

274 mJ

长度

5mm

宽度

6mm

器件厚度

950μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅