Texas Instruments CSD22204WT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

9-UFBGA, DSBGA

引脚数

9

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta

Turn Off Delay Time

3.45 μs

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

基本部件号

CSD22204

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

58 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.9m Ω @ 2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1130pF @ 4V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.6nC @ 4.5V

上升时间

600ns

漏源电压 (Vdss)

8V

Vgs（最大值）

-6V

下降时间（典型值）

2.29 μs

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏极-源极导通最大电阻

0.014Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

8V

反馈上限-最大值 (Crss)

265 pF

高度

625μm

长度

1.75mm

宽度

1.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅