Texas Instruments CSD23285F5

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, No Lead

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.4A Ta

Number of Elements

1

系列

FemtoFET™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD23285

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 1A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

628pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.2nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

-6V

连续放电电流(ID)

5.4A

DS 击穿电压-最小值

12V

反馈上限-最大值 (Crss)

48 pF

长度

1.49mm

宽度

730μm

器件厚度

338μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅