Texas Instruments CSD25401Q3

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta

Turn Off Delay Time

13.5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

CSD25401

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8W

箱体转运

SOURCE

接通延迟时间

8.1 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.7m Ω @ 10A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.3nC @ 4.5V

上升时间

3.9ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

12.6 ns

连续放电电流(ID)

14A

阈值电压

850mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60A

漏源击穿电压

-20V

双电源电压

20V

栅源电压

850 mV

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅