Texas Instruments CSD25404Q3

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

104A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 96W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

CSD25404

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 10A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.15V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2120pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14.1nC @ 4.5V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

104A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.0121Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

DS 击穿电压-最小值

20V

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅