Texas Instruments CSD25481F4
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CSD25481F4
2502-CSD25481F4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-XFDFN
大陆
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PICOSTAR T/R
--最小包装量--
CSD25481F4详情
Texas Instruments CSD25481F4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-XFDFN
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
16.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
CSD25481
元素配置
Single
操作模式
-0.95
功率耗散
500mW
接通延迟时间
4.1 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
88m Ω @ 500mA, 8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
189pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.913nC @ 4.5V
上升时间
3.6ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
6.7 ns
连续放电电流(ID)
2.5A
栅极至源极电压(Vgs)
-12V
漏源击穿电压
-20V
高度
350μm
长度
1.035mm
宽度
635μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD25481F4拓展信息
Texas Instruments
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