CSD75207W15
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Texas Instruments CSD75207W15

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型号

CSD75207W15

utmel 编号

2502-CSD75207W15

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

9-UFBGA, DSBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET

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CSD75207W15
CSD75207W15 Texas Instruments MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET

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CSD75207W15详情

Texas Instruments CSD75207W15重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    9-UFBGA, DSBGA

  • 引脚数

    9

  • Turn Off Delay Time

    32.1 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    NexFET™

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最大功率耗散

    700mW

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 基本部件号

    CSD75207

  • 操作模式

    -0.8

  • 接通延迟时间

    12.8 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual) Common Source

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    162m Ω @ 1A, 1.8V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    595pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.7nC @ 4.5V

  • 上升时间

    8.6ns

  • 下降时间(典型值)

    16 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.9A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    -6V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    625μm

  • 长度

    1.75mm

  • 宽度

    1.75mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和Texas Instruments & CSD75207W15相似的参数规格。

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CSD75207W15拓展信息

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