Texas Instruments CSD75207W15
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CSD75207W15
2502-CSD75207W15
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
9-UFBGA, DSBGA
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MOSFET Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET
--最小包装量--
CSD75207W15详情
Texas Instruments CSD75207W15重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
9-UFBGA, DSBGA
引脚数
9
Turn Off Delay Time
32.1 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最大功率耗散
700mW
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
基本部件号
CSD75207
操作模式
-0.8
接通延迟时间
12.8 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual) Common Source
Rds On(Max)@Id,Vgs
162m Ω @ 1A, 1.8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
595pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.7nC @ 4.5V
上升时间
8.6ns
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
3.9A
栅极至源极电压(Vgs)
-6V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
高度
625μm
长度
1.75mm
宽度
1.75mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CSD75207W15拓展信息
Texas Instruments
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