Texas Instruments CSD86356Q5DT

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27mm

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD86356

JESD-30代码

R-PDSO-N8

输入电压-Nom

12V

模拟 IC - 其他类型

开关稳压器

功率 - 最大

12W Ta

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

输入电压(最大)

22V

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 20A, 5V, 0.8m Ω @ 20A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.85V @ 250μA, 1.5V @ 250μA

控制技术

脉宽调制

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.04nF @ 12.5V 2.51nF @ 12.5V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

25V

切换器配置

BUCK

开关频率-最大值

1500kHz

场效应管特性

Logic Level Gate, 5V Drive

长度

6mm

座位高度(最大)

1.05mm

宽度

5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant