Texas Instruments CSD87313DMST

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

雪崩 额定

终端形式

无铅

基本部件号

CSD87313

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

功率 - 最大

2.7W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4290pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

雪崩能量等级（Eas）

67 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

漏源电阻

5.5mOhm

反馈上限-最大值 (Crss)

200 pF

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

750μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant