Texas Instruments CSD87503Q3ET

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

NexFET™

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

CSD87503

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

15.6W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Common Source

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1020pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

漏源电阻

13.5mOhm

反馈上限-最大值 (Crss)

194 pF

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

器件厚度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant