CSD88599Q5DCT
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Texas Instruments CSD88599Q5DCT

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型号

CSD88599Q5DCT

utmel 编号

2502-CSD88599Q5DCT

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

22-PowerTFDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP

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CSD88599Q5DCT Texas Instruments MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP

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CSD88599Q5DCT详情

Texas Instruments CSD88599Q5DCT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    22-PowerTFDFN

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    22

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    NexFET™

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    22

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 功能数量

    1

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 基本部件号

    CSD88599

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    54V

  • 功率 - 最大

    12W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Half Bridge)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.1m Ω @ 30A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4840pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    27nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 接口IC类型

    基于半桥的外设驱动器

  • 场效应管特性

    Standard

  • 输出电流流向

    水槽

  • 电源电压1-最小值

    4.5V

  • 电源电压1-最大值

    16V

  • 长度

    6mm

  • 宽度

    5mm

  • 器件厚度

    850μm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Texas Instruments CSD88599Q5DCT.

CSD88599Q5DCT拓展信息

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