Texas Instruments TPS1101DR

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

791mW Ta

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

基本部件号

TPS1101

引脚数量

8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

791mW

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.25nC @ 10V

上升时间

5.5ns

Vgs（最大值）

+2V, -15V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

2V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.62A

漏源击穿电压

15V

高度

1.75mm

长度

4.9mm

宽度

3.91mm

器件厚度

1.58mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅