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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TBC857B,LM
TBC857B,LM
TBC857B,LM

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Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B,LM

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型号

TBC857B,LM

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TBC857B,LM

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L

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TBC857B,LM
TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L

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TBC857B,LM详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B,LM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Power Dissipation (Max)

    320mW

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2016

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE

  • 功率 - 最大

    320mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    650mV

  • 最大集电极电流

    150mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    210 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    30nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    650mV @ 100mA, 5mA

  • 转换频率

    80MHz

  • 最大击穿电压

    50V

  • 频率转换

    80MHz

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & TBC857B,LM相似的参数规格。

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公司资质

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