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500

￥29.700622
1000

￥28.019453

Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W,S1VX

Name: TK12E60W,S1VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TK12E60W,S1VX
Price: 35.37 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK12E60W,S1VX

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TK12E60W,S1VX

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

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TK12E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC

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TK12E60W,S1VX详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W,S1VX重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Number of Elements

1
Power Dissipation (Max)

110W Tc
Turn Off Delay Time

85 ns
操作温度

150°C TJ
包装

Tube
系列

DTMOSIV
已出版

2013
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
元素配置

Single
功率耗散

110W
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 5.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 600μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

890pF @ 300V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V
上升时间

23ns
Vgs（最大值）

±30V
下降时间（典型值）

5.5 ns
连续放电电流(ID)

11.5A
栅极至源极电压(Vgs)

30V
漏源击穿电压

600V
场效应管特性

超级交界处
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

TK12E60W,S1VX拓展信息

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