W25M02GVTBIG详情
Winbond W25M02GVTBIG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
24-TBGA
表面安装
YES
引脚数
24
供应商器件包装
24-TFBGA (8x6)
终端数量
24
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.7V - 3.6V
Dimensions
8.1 x 6.1 x 0.85mm
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Package Type
TFBGA
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Interface Type
Quad-SPI
Number of Words
256M
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Cell Type
SLC NAND
Base Product Number
W25M02
厂商
Winbond Electronics
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
Risk Rank
2.33
Ihs Manufacturer
WINBOND ELECTRONICS CORP
Samacsys Description
Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
Winbond Electronics Corp
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TBGA
Clock Frequency-Max (fCLK)
104 MHz
Manufacturer Part Number
W25M02GVTBIG
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
85 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
1000000000
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Package Description
TFBGA-24
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
类型
QspiNAND Flash
技术
FLASH - NAND (SLC)
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B24
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
2Gbit
速度
104MHz
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
104 MHz
访问时间
7 ns
内存格式
FLASH
内存接口
SPI - Quad I/O
组织结构
High Quality Single Level Cell (SLC) Technology Standard Serial Interface with x1/x2/x4 Bus Width
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
2
写入周期时间 - 字符、页面
700µs
记忆密度
2Gb
并行/串行
SERIAL
内存IC类型
FLASH
编程电压
3 V
电压 - 供电 (最大值)
3.6 V
电压 - 供电 (最小值)
2.7 V
温度
-40ºC ~ 85ºC / -40ºC ~ 105ºC
组织的记忆
256M x 8
长度
8 mm
宽度
6 mm
W25M02GVTBIG拓展信息
Winbond Electronics
Winbond Electronics
Winbond Electronics
Winbond Electronics
Winbond Electronics
Winbond Electronics
Winbond Electronics
Winbond Electronics
Winbond Electronics
Winbond Electronics








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