W25Q32JVSSIQ
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Winbond Electronics W25Q32JVSSIQ

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型号

W25Q32JVSSIQ

utmel 编号

2736-W25Q32JVSSIQ

商品类别

存储器

封装

8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC

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W25Q32JVSSIQ Winbond Electronics IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC

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W25Q32JVSSIQ详情

Winbond Electronics W25Q32JVSSIQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 制造商包装标识符

    W25Q32JVSSIQ

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tube

  • 系列

    SpiFlash®

  • 已出版

    2014

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    8

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 附加功能

    2.7V NOMINAL AVAILABLE WITH 104MHZ

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    1.27mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 工作电源电压

    3V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3V

  • 界面

    SPI

  • 内存大小

    32Mb 4M x 8

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    133MHz

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    SPI - Quad I/O

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    3ms

  • 密度

    256 Mb

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 编程电压

    3V

  • 备用内存宽度

    1

  • 页面尺寸

    256B

  • 环境温度范围高

    85°C

  • 高度

    2.16mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Winbond Electronics W25Q32JVSSIQ.

右边的3个型号有着和Winbond Electronics & W25Q32JVSSIQ相似的参数规格。

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