W29N08GWSIBF
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Winbond W29N08GWSIBF

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型号

W29N08GWSIBF

品牌

Winbond

utmel 编号

2736-W29N08GWSIBF

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NAND Flash 8G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, x16

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W29N08GWSIBF Winbond NAND Flash 8G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, x16

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W29N08GWSIBF详情

Winbond W29N08GWSIBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    48

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.7V - 1.95V

  • Package Description

    TSOP1,

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    512000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Manufacturer Part Number

    W29N08GWSIBF

  • Number of Words

    536870912 words

  • Package Code

    TSOP1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Winbond Electronics Corp

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    WINBOND ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.75

  • 类型

    SLC NAND Flash

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.5 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G48

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 速度

    40MHz

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 组织结构

    High Quality Single Level Cell (SLC) Technology Standard ONFI NAND Command Set

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    8Gb

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    1.8 V

  • 温度

    40ºC ~ 85ºC / -40ºC ~ 105ºC

  • 宽度

    12 mm

  • 长度

    18.4 mm

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