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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥41.027765
10
¥38.705443
100
¥36.514565
500
¥34.447702
1000
¥32.497835
Winbond Electronics W63AH2NBVADI TR
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- 对比
W63AH2NBVADI TR
2736-W63AH2NBVADI TR
存储器
178-VFBGA
大陆
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1GB LPDDR3, X32, 1066MHZ, INDUST
--最小包装量--
¥
总价: ¥
W63AH2NBVADI TR详情
Winbond Electronics W63AH2NBVADI TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
178-VFBGA
供应商器件包装
178-VFBGA (11x11.5)
厂商
Winbond Electronics
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Base Product Number
W63AH2
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8V / 1.2V
Maximum Clock Frequency
1.066 GHz
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Supply Voltage-Max
1.95 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2000
Supply Voltage-Min
1.14 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
Winbond
Brand
Winbond
操作温度
-40°C ~ 85°C (TC)
系列
W63AH2NB
类型
Low Power DDR3 SDRAM
子类别
Memory & Data Storage
电压 - 供电
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
内存大小
1Gbit
速度
800/933MHz/1066MHz
时钟频率
1.066 GHz
电源电流-最大值
39 mA
访问时间
5.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
HSUL_12
数据总线宽度
32 bit
组织结构
32Mbit x32
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
产品类别
DRAM
记忆密度
1Gb
产品类别
DRAM
温度
-25ºC~85ºC, -40ºC~85ºC
组织的记忆
32M x 32
W63AH2NBVADI TR拓展信息
Winbond Electronics
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