Winbond Electronics W987D2HBJX7E TR
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W987D2HBJX7E TR
2736-W987D2HBJX7E TR
存储器
90-TFBGA
大陆
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IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
1最小包装量--
W987D2HBJX7E TR详情
Winbond Electronics W987D2HBJX7E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-25°C~85°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.7V~1.95V
内存大小
128Mb 4M x 32
时钟频率
133MHz
访问时间
5.4ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
W987D2HBJX7E TR拓展信息
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