类别是'category.存储卡' (4503)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

表面安装

引脚数

终端数量

操作温度

包装

已出版

系列

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

功能数量

电源电压

端子间距

Reach合规守则

时间@峰值回流温度-最大值(s)

引脚数量

JESD-30代码

资历状况

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

电源

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

最大电源电压

最小电源电压

内存大小

端口的数量

速度

操作模式

组织结构

输出特性

座位高度-最大

内存宽度

密度

记忆密度

最高频率

锁相环

并行/串行

I/O类型

内存IC类型

编程电压

刷新周期

访问模式

自我刷新

模块类型

座位高度(最大)

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

M393B2G70EB0-YK0Q2
M393B2G70EB0-YK0Q2
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4(Max)

240

No Lead

1600(MHz)

95C

16GByte(b)

Commercial

RDIMM

0C to 95C

36

72(b)

1.45/1.575(V)

1.35/1.5(V)

1.283/1.425(V)

0C

DRAM模块

4A994.a

DRAM模块

16Gbyte

36

4G

72

1600

1Gx4

1.283/1.425

1.35/1.5

1.45/1.575

1890

0

95

Double

Dual

8

11

DIMM

RDIMM

Socket

30

133.35

活跃

240

2Gx72

240RDIMM

符合RoHS标准

SQF-P10S2-4G-P8E
SQF-P10S2-4G-P8E
Advantech Corp 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

13 Weeks

Socket

CompactFlash®

-40°C~85°C

2013

活跃

1 (Unlimited)

85°C

-40°C

4GB

32 Gb

ROHS3 Compliant

AP-ISD004GCA-1HTM
AP-ISD004GCA-1HTM
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

SD™

-25°C~85°C

2016

活跃

4GB

Class 10, UHS Class 1

ROHS3 Compliant

VTSD3032GCCBMTLC
VTSD3032GCCBMTLC
Viking Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SDHC™

0°C~70°C

活跃

1 (Unlimited)

32GB

Class 10, UHS Class 3

符合RoHS标准

MT9HTF12872FY-667G1D6
MT9HTF12872FY-667G1D6
Micron Technology 数据表

26 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

240

Socket

30.5(Max)

133.5(Max)

5.1(Max)

240

No Lead

667(MHz)

DDR2 SDRAM

95C

1GByte(b)

Commercial

FBDIMM

0C to 95C

9

72(b)

1.9(V)

1.8(V)

1.7(V)

0C

DRAM模块

8473300002, 8473300002/8473300002/8473300002/8473300002/8473300002

Compliant

EAR99

8542.32.00.32

DRAM模块

1Gbyte

9

1G

72

667

128Mx8

1.7

1.8

1.9

0

95

Double

Single

8

5

PC2-5300

DIM

FBDIMM

Tray

Obsolete

95 °C

0 °C

240

1.8 V

1.9 V

1.7 V

128Mx72

667 MHz

8K

240FBDIMM

是,有豁免

2700551
2700551
Phoenix Contact 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

6 Weeks

SD™

2017

活跃

1 (Unlimited)

256MB

符合RoHS标准

2700552
2700552
Phoenix Contact 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

SD™

2018

活跃

1 (Unlimited)

256MB

符合RoHS标准

AP-CF002GE3NR-ETNRQ
AP-CF002GE3NR-ETNRQ
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

YES

CompactFlash®

-40°C~85°C

2014

CFCIII

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

3A991.B.1.A

IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY

8542.32.00.51

UPPER

无铅

未说明

1

3.3V

unknown

未说明

R-XUUC-N50

3.465V

3.135V

2GB

ASYNCHRONOUS

2GX8

8

17179869184 bit

PARALLEL

3.3V

3.4mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

AP-CF001GE3NR-NRQ
AP-CF001GE3NR-NRQ
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

YES

CompactFlash®

0°C~70°C

2014

CFCIII

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

3A991.B.1.A

IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY

8542.32.00.51

UPPER

无铅

未说明

1

3.3V

unknown

未说明

R-XUUC-N50

5V

1GB

ASYNCHRONOUS

1GX8

8

8589934592 bit

PARALLEL

3.3V

3.4mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

APCFA004GACAD-AT
APCFA004GACAD-AT
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

CFast

0°C~70°C

2014

CFast 2H

Obsolete

1 (Unlimited)

4GB

ROHS3 Compliant

AP-CF002GE3NR-NDNRQ
AP-CF002GE3NR-NDNRQ
Apacer Memory America 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

YES

CompactFlash®

0°C~70°C

2014

CFCIII

yes

不用于新设计

1 (Unlimited)

50

3A991.B.1.A

IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY

8542.32.00.51

UPPER

无铅

未说明

1

3.3V

unknown

未说明

R-XUUC-N50

3.465V

3.135V

2GB

ASYNCHRONOUS

2GX8

8

17179869184 bit

PARALLEL

3.3V

3.4mm

42.8mm

36.4mm

ROHS3 Compliant

CT8G4RFD8266
CT8G4RFD8266
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

PC4-21300

DIM

RDIMM

Socket

288

No Lead

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

72

2666

1.2

Dual

19

Obsolete

288

1Gx72

8

RDIMM

符合RoHS标准

SFCF16GBH1BO4TO-I-Q1-523-SMA
SFCF16GBH1BO4TO-I-Q1-523-SMA
Swissbit 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

8523.59.00.00

CompactFlash

16G

PATA

2.97|4.5

5|3.3

3.63|5.5

-40

85

Industrial

Socket

3.93

42.8

36.4

50

Compliant

CompactFlash

LTB

50

16 GB

是,有豁免

TS1GSH64V4B-I
TS1GSH64V4B-I
Transcend Information 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

DRAM模块

8Gbyte

2400

1.2

-40

85

Industrial

Single

SODIMM

Socket

260

活跃

260

SODIMM

符合RoHS标准

KVR333X64SC25/512
KVR333X64SC25/512
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

200

KVR333X64SC25/512

167 MHz

67108864 words

2.5 V

DIMM

RECTANGULAR

Kingston Technology Company

Obsolete

KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC

8.61

EAR99

DRAM模块

512Mbyte

16

256M

64

333

32Mx8

UBGA

2.25

2.5

2.75

Double

4

2.5

DIM

SODIMM

Socket

31.75

67.6

200

No Lead

微电子组件

64000000

PLASTIC/EPOXY

DIMM200,24

85 °C

Obsolete

CMOS

DUAL

无铅

0.6 mm

unknown

200

R-PDMA-N200

不合格

2.5 V

OTHER

64Mx64

3-STATE

64

4294967296 bit

COMMON

DDR内存模块

8192

200SODIMM

供应商未确认

M471A5143DB0-CPB000
M471A5143DB0-CPB000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

15

USODIMM

Socket

30

69.6

3.7(Max)

260

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

4Gbyte

8

4G

64

2133

512Mx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

760

Single

Obsolete

260

512Mx64

260USODIMM

符合RoHS标准

MT8HTF6464HDY-800F1
MT8HTF6464HDY-800F1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

512Mbyte

8

512M

64

800

32Mx16

1.7

1.8

1.9

1200

0

70

Commercial

Double

Dual

4

6

PC2-6400

DIM

SODIMM

Socket

31.15(Max)

67.75(Max)

3.8(Max)

200

No Lead

EAR99

DRAM模块

Tray

Obsolete

200

64Mx64

8K

200SODIMM

符合RoHS标准

M391B1G73EB0-YK0
M391B1G73EB0-YK0
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11

UDIMM

Socket

30

133.35

4(Max)

240

4A994.a

8473.30.51.00

DRAM模块

8Gbyte

18

4G

64

1600

512Mx8

78FBGA

1.35

0

85

Commercial

Dual

Obsolete

240

1Gx64

240UDIMM

符合RoHS标准

CT16G4RFD824A
CT16G4RFD824A
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Dual

17

DIM

RDIMM

Socket

288

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

16Gbyte

8G

2400

1Gx8

1.2

288

288RDIMM

供应商未确认

MT36JBZS51272PY-1G4D1
MT36JBZS51272PY-1G4D1
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

240

4Gbyte

36

2G(TwinDie)

72

1333

512Mx4

1.425

1.5

1.575

4266

0

70

Commercial

Double

Dual

8

9

PC3-10600

DIM

VLP RDIMM

Socket

18(Max)

133.5(Max)

9.01(Max)

240

No Lead

36

Compliant

EAR99

DRAM模块

Tray

Obsolete

70 °C

0 °C

240

1.5 V

1.575 V

1.425 V

512Mx72

1.333 GHz

8K

240RDIMM

符合RoHS标准

CT8G3ERSLD8160B
CT8G3ERSLD8160B
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

11

PC3-12800

DIM

RDIMM

Socket

240

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

8Gbyte

72

1600

1.35

Dual

Unconfirmed

240

1Gx72

RDIMM

符合RoHS标准

M378A2K43BB1-CPB000
M378A2K43BB1-CPB000
Samsung Electronics 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

15

UDIMM

Socket

31.25

133.35

4.1(Max)

288

EAR99

8542.32.00.71

DRAM模块

16Gbyte

16

8G

64

2133

1Gx8

78FBGA

1.14

1.2

1.26

984

Dual

LTB

288

2Gx64

288UDIMM

符合RoHS标准

KVR1333D3S8S9/2G
KVR1333D3S8S9/2G
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8

2G

64

1333

256Mx8

FBGA

1.425

1.5

1.575

0

85

Double

Single

8

9

PC3-10600

DIMM

SODIMM

Socket

30

67.6

204

No Lead

EAR99

8473.30.11.40

DRAM模块

2Gbyte

Obsolete

204

256Mx64

204SODIMM

供应商未确认

CT32G4RFD424A
CT32G4RFD424A
Micron Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Socket

288

No Lead

EAR99

DRAM模块

32Gbyte

8G

2400

2Gx4

1.2

Dual

17

DIM

RDIMM

Obsolete

288

288RDIMM

供应商未确认

KVR24S17S8/8
KVR24S17S8/8
Kingston Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks, 2 Days

NO

260

1000000000

UNSPECIFIED

未说明

85 °C

KVR24S17S8/8

1073741824 words

1.2 V

DIMM

RECTANGULAR

Kingston Technology Company

接触制造商

KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC

5.69

EAR99

DRAM模块

8Gbyte

8

8G

64

2400

1Gx8

FBGA

1.2

0

85

Double

Single

17

PC4-2400

DIM

SODIMM

Socket

30

69.6

3.7(Max)

260

No Lead

DIMM,

微电子组件

LTB

AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX

CMOS

DUAL

无铅

未说明

1

compliant

260

R-XDMA-N260

OTHER

1

SYNCHRONOUS

1Gx64

30 mm

64

68719476736 bit

DDR内存模块

单库页面突发

260SODIMM

69.6 mm

3.7 mm

符合RoHS标准