类别是'category.IGBT晶体管模块' (5134)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 无卤素 | 上升时间 | 极性/通道类型 | 输入 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 工作温度范围 | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 最大击穿电压 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 集电极电流-最大值(IC) | 连续集电极电流 | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | 集电极-发射器电压-最大值 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 高度 | 长度 | 宽度 | 高度(毫米) | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
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CM100DU-24NFH | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 5 V | 100 A | 0.5 uA | Details | 1200 V | 560 W | - 40 C | + 150 C | 10 | Dual | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF450R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2475 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Screw | 底座安装 | Module | 11 | SILICON | 1 | -40°C~125°C | 2002 | EconoDUAL™ 3 | no | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 11 | 不合格 | 半桥逆变器 | Dual | 2250W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 605A | 3mA | 1700V | 400 ns | 2.45V @ 15V, 450A | 1300 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 40.5nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12ME4PB11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 26 Weeks | NO | SILICON | 2 | 2006 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 7 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X7 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 310 ns | 995A | 770 ns | 1200V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS100R17KE3BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2342 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 35 | SILICON | 6 | -40°C~125°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 35 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 35 | 不合格 | 三相逆变器 | ISOLATED | 555W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 145A | 5mA | 1700V | 450 ns | 2.45V @ 15V, 100A | 1100 ns | 有 | 9nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2000A | 3 | -40°C~125°C | 2002 | no | 最后一次购买 | 1 (Unlimited) | 9 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 9 | R-XUFM-X9 | 全桥 | ISOLATED | 14500W | N-CHANNEL | Standard | 12mA | 3300V | 14500W | 480 ns | 4.25V @ 15V, 1200A | 1900 ns | 无 | 20V | 150nF @ 25V | 4.25 V | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF400R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2262 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 5 | SILICON | 1 | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | Single | ISOLATED | 2000W | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 580A | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 400A | 830 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 3000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 5 | SILICON | 2.15V | 150A | 1 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 7 | R-XUFM-X4 | 单斩波器 | Single | 790W | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.2kV | 1mA | 1200V | 185 ns | 2.15V @ 15V, 150A | 490 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 9.3nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L50R06W1E3B11BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 648 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | 75A | -40°C~150°C | 2002 | 活跃 | 不适用 | EAR99 | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | 175W | 不含卤素 | Standard | 1mA | 600V | 1.9V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 3.1nF @ 25V | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APTGT150SK120G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 5 | SP6 | 1.7 V | 220 A | 400 nA | 微芯片技术 | APTGT150 | 活跃 | 1.2 kV | Details | 1.2 kV | 690 W | - 40 C | + 100 C | 20 V | 底座安装 | 1 | 3.880136 oz | Bulk | 220 A | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 150 °C | -40 °C | 690 W | Single | Single | 690 W | Standard | 1.2 kV | 220 A | 350 µA | 1200 V | 10.7 nF | 2.1V @ 15V, 150A | 220 | 沟渠现场停车 | 无 | 10.7 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 5 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 23 | SILICON | 2V | 600V | 7 | -40°C~150°C | 2002 | no | 活跃 | 不适用 | 23 | EAR99 | 68W | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 23 | 不合格 | 三相逆变器 | 68W | ISOLATED | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 600V | 16A | 1mA | 26 ns | 2V @ 15V, 10A | 260 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 550pF @ 25V | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT200GT60JR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | ISOTOP-4 | 4 | SOT-227 | 2 V | 195 A | 300 nA | 微芯片技术 | APT200 | 活跃 | 600 V | Details | 600 V | 500 W | - 55 C | + 150 C | 30 V | SMD/SMT | 1.030000 oz | 1 | Tray | 195 A | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | Thunderbolt IGBT® | 150 °C | -55 °C | 500 W | Single | Single | 500 W | Standard | 600 V | 195 A | 25 µA | 600 V | 8.65 nF | 2.5V @ 15V, 200A | NPT | 无 | 8.65 nF @ 25 V | IGBT碳化硅模块 | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGN100N170 | IXYS | 数据表 | 13 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 3 Weeks | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 2.5V | 1.7kV | 1 | -55°C~150°C TJ | 2012 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | Nickel (Ni) | LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED | 735W | UPPER | UNSPECIFIED | 4 | Single | 735W | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 160A | 50μA | 1700V | 9.22nF | 285 ns | 3V @ 15V, 100A | 720 ns | NPT | 无 | 20V | 9.22nF @ 25V | 5V | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
F3L150R12W2H3B11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 52 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 75A | 4 | -40°C~150°C | 活跃 | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | R-XUFM-X32 | 三相逆变器 | ISOLATED | 500W | GENERAL PURPOSE | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 210 ns | 1.75V @ 15V, 75A | 510 ns | 有 | 8.7nF @ 25V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12W2T4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 51 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 7 | 50A | -40°C~150°C | 2002 | EasyPIM™ 2B | 活跃 | 1 (Unlimited) | 23 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X23 | 三相逆变器 | ISOLATED | 20mW | 电源控制 | N-CHANNEL | 三相桥式整流器 | 1mA | 1200V | 47 ns | 2.25V @ 15V, 25A | 520 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 1.45nF @ 25V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FD16001200R17HP4KB2BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 845 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 Weeks | 底座安装 | Module | 1600A | -40°C~150°C TJ | 2006 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | 双制动斩波器 | 1050W | 不含卤素 | Standard | 5mA | 1700V | 2.25V @ 15V, 1600A | 无 | 130nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM1200DB-34N | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Module | NO | 10 | SILICON | 6900 W | 2.15 V | 1200 A | - 40 C | + 125 C | 0.5 uA | 20 V | SMD/SMT | 2 | CM1200DB-34N | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 1400 ns | 1500 ns | 150 °C | RECTANGULAR | 2 | 活跃 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP | 5.68 | MODULE | N | 1700 V | Bulk | CM1200 | HIGH RELIABILITY | UPPER | UNSPECIFIED | unknown | 10 | R-XUFM-X10 | 不合格 | Dual | ISOLATED | 电源控制 | N-CHANNEL | 6900 W | 1200 A | 1700 V | 20 V | 2.8 V | IGBT硅模块 | 38 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF225R12ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 46 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 2 | 450A | -40°C~150°C | 2002 | EconoDUAL™ 3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 11 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X11 | 半桥 | ISOLATED | 20mW | N-CHANNEL | Standard | 3mA | 1200V | 220 ns | 2.15V @ 15V, 225A | 600 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 13nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PS21A7A | Mitsubishi Materials U.S.A | 数据表 | 3800 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 1.55 V | 75 A | - | Details | 600 V | 162 W | - 20 C | + 100 C | 螺钉安装 | 10 | 6-Pack | IGBT硅模块 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT50GF60JU2 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SOT-227-4 | SOT-227 | 2.1 V | 75 A | 100 nA | 微芯片技术 | 1.058219 oz | Bulk | 75 A | Obsolete | Details | 600 V | 277 W | - 55 C | + 150 C | 20 V | 底座安装 | 50 | ISOTOP | - | - | Single | 277 W | Standard | - 55 C to + 150 C | 40 µA | 600 V | 2.7V @ 15V, 50A | NPT | 无 | 2.25 nF @ 25 V | IGBT硅模块 | 9.6 mm | 38.2 mm | 25.4 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF300R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2945 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1 | 480A | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | compliant | 5 | R-XUFM-X5 | Single | ISOLATED | 1470W | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 400 ns | 2.15V @ 15V, 300A | 830 ns | 无 | 21nF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT100GT120JU3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | ISOTOP-4 | SOT-227 | 1.7 V | 140 A | 400 nA | 微芯片技术 | Bulk | 140 A | APT100 | 活跃 | Details | 1200 V | 480 W | - 55 C | + 150 C | 20 V | SMD/SMT | 1 | 1.030000 oz | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Single | 480 | 480 W | Standard | 5 mA | 1200 V | 2.1V @ 15V, 100A | 140 | 沟渠现场停车 | 无 | 7.2 nF @ 25 V | IGBT碳化硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGE50NC60VD | STMicroelectronics | 数据表 | 1000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Chassis Mount, Screw, Surface Mount | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 2.5V | 600V | 90A | 1 | 140 ns | -55°C~150°C TJ | PowerMESH™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 260W | UPPER | UNSPECIFIED | STGE50 | 4 | Single | 260W | ISOLATED | 43 ns | 电源控制 | 17ns | N-CHANNEL | Standard | 600V | 80A | 150μA | 4.55nF | 600V | 61 ns | 2.5V @ 15V, 40A | 247 ns | 无 | 20V | 4.55nF @ 25V | 12.2mm | 38.2mm | 24.15mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ400R12KP4HOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 34 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 14 Weeks | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1 | 400A | -40°C~125°C | 2002 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | UPPER | UNSPECIFIED | 5 | R-XUFM-X3 | Single | ISOLATED | 2400W | 电源控制 | N-CHANNEL | Standard | 5mA | 1200V | 315 ns | 2.05V @ 15V, 400A | 840 ns | 沟渠现场停车 | 无 | 28nF @ 25V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP75R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2637 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 底座安装 | Module | NO | 35 | SILICON | 75A | 7 | -40°C~150°C TJ | 2002 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | EAR99 | UL认证 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 三相逆变器 | ISOLATED | 385W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1mA | 1200V | 210 ns | 2.15V @ 15V, 75A | 620 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 4.3nF @ 25V | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DF1000R17IE4BOSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | 2442 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 50 Weeks | Screw | 底座安装 | Module | 12 | SILICON | 1.7kV | 1 | -40°C~150°C | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | 6.25kW | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | 12 | 不合格 | Single | ISOLATED | 6250W | 电源控制 | 不含卤素 | N-CHANNEL | Standard | 1.7kV | 1.39kA | 5mA | 1700V | 720 ns | 2.45V @ 15V, 1000A | 1890 ns | 有 | 81nF @ 25V | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 含铅 |
CM100DU-24NFH
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF450R17ME3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
2,092.684830
FF600R12ME4PB11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FS100R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
869.471960
FZ1200R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DF400R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
937.290846
DF150R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F3L50R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
235.132389
APTGT150SK120G
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FP10R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
297.585999
APT200GT60JR
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
IXGN100N170
IXYS
分类:Transistors - IGBTs - Modules
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
568.616658
FP25R12W2T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
416.020379
FD16001200R17HP4KB2BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
12,882.127197
CM1200DB-34N
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FF225R12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
590.368683
PS21A7A
Mitsubishi Materials U.S.A
分类:Transistors - IGBTs - Modules
APT50GF60JU2
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
DF300R12KE3HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
894.386790
APT100GT120JU3
Microchip Technology
分类:Transistors - IGBTs - Modules
STGE50NC60VD
STMicroelectronics
分类:Transistors - IGBTs - Modules
FZ400R12KP4HOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
620.606673
FP75R12KT4B11BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
1,070.117396
DF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - IGBTs - Modules
3,433.163956
