Central Semiconductor 2N3773

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

140V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.4V

Power Dissipation (Max)

150W

hFEMin

15

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

端子表面处理

镍外哑光锡

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

极性

NPN

增益带宽积

4MHz

集电极发射器电压(VCEO)

4V

最大集电极电流

16A

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

符合RoHS标准