Diodes Incorporated DMP2100UCB9-7

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

9-UFBGA, WLBGA

引脚数

9

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

47 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

800mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

参考标准

AEC-Q101

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

8.5 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual) Common Source

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

310pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.2nC @ 4.5V

上升时间

7ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

-6V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.0175Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

55 pF

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅