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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.624592
500
¥0.459259
1000
¥0.382717
2000
¥0.351117
5000
¥0.328143
10000
¥0.305256
15000
¥0.295215
50000
¥0.290281
Infineon Technologies BCW61AE6327HTSA1
- 收藏
- 对比
BCW61AE6327HTSA1
1211-BCW61AE6327HTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 32V 0.1A T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCW61AE6327HTSA1详情
Infineon Technologies BCW61AE6327HTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32V
Number of Elements
1
hFEMin
120
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-32V
最大功率耗散
330mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BCW61
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率 - 最大
330mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
不含卤素
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
550mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
20nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
550mV @ 1.25mA, 50mA
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
32V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCW61AE6327HTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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