Infineon Technologies IGW30N100TFKSA1

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1kV

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 30A, 16 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

412W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

412W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.9V

最大集电极电流

60A

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000V

接通时间

54 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

569 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

217nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

33ns/535ns

开关能量

3.8mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅