Infineon Technologies IHW30N100R

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.75V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 30A, 26 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

TIN

最大功率耗散

412W

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

412W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1kV

最大集电极电流

60A

JEDEC-95代码

TO-247AC

电压 - 集射极击穿（最大值）

1000V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

988.4 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

209nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

-/846ns

开关能量

2.1mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.4V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅