Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Current-Collector (Ic) (Max)

6.5A

Number of Elements

1

SwitchingFrequency

-30kHz

Test Conditions

400V, 2.5A, 68 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchStop™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

53.6W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

5A

反向恢复时间

31 ns

最大击穿电压

600V

接通时间

18 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 2.5A

关断时间-标准值（toff)

265 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

17.1nC

集极脉冲电流（Icm）

7.5A

Td（开/关）@25°C

10ns/128ns

开关能量

50μJ (on), 40μJ (off)

高度

2.41mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant