Infineon Technologies IKD06N60RAATMA1

工厂交货时间

14 Weeks

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Test Conditions

400V, 6A, 23 Ω, 15V

Number of Elements

1

已出版

2012

系列

TrenchStop™

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~175°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

100W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

100W

晶体管应用

GENERAL PURPOSE

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.1V

最大集电极电流

12A

反向恢复时间

68 ns

最大击穿电压

600V

接通时间

22 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 6A

关断时间-标准值（toff)

335 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

48nC

集极脉冲电流（Icm）

18A

Td（开/关）@25°C

12ns/127ns

开关能量

110μJ (on), 220μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant