Infineon Technologies IKW75N60H3FKSA1

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 75A, 5.2 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchStop®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

428W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

428W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

80A

反向恢复时间

190 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 75A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

470nC

集极脉冲电流（Icm）

225A

Td（开/关）@25°C

31ns/265ns

开关能量

3mJ (on), 1.7mJ (off)

高度

20.7mm

长度

15.87mm

宽度

5.31mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅