Infineon Technologies IPD50R950CEAUMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3

引脚数

3

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

25 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

34W

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

34W

接通延迟时间

7 ns

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

4.9ns

漏源电压 (Vdss)

500V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

19.5 ns

连续放电电流(ID)

4.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12.8A

输入电容

231pF

雪崩能量等级（Eas）

68 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

950mOhm

最大rds

950 mΩ

高度

2.41mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free