Infineon Technologies IRF8910TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

9.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

13.4MOhm

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

2W

额定电流

10A

基本部件号

IRF8910PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6.2 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.4m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.55V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

960pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

10ns

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

2.55V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

2.55 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅