Infineon Technologies IRG4PF50WPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

900V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.25V

Number of Elements

1

Test Conditions

720V, 28A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

200W

端子位置

SINGLE

额定电流

51A

元素配置

Dual

功率耗散

200W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

29 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

26ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.7V

最大集电极电流

51A

JEDEC-95代码

TO-247AC

接通时间

54 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 28A

关断时间-标准值（toff)

370 ns

闸门收费

160nC

集极脉冲电流（Icm）

204A

Td（开/关）@25°C

29ns/110ns

开关能量

190μJ (on), 1.06mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

220ns

高度

20.3mm

长度

15.875mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅