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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥20.560258
10
¥19.39647
100
¥18.29856
500
¥17.262788
1000
¥16.285653
STMicroelectronics STGD7NB60ST4
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- 对比
STGD7NB60ST4
2381-STGD7NB60ST4
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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IGBT 600V 15A 55W DPAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
STGD7NB60ST4详情
STMicroelectronics STGD7NB60ST4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 7A, 1k Ω, 15V
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
55W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
7A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STGD7
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
功率耗散
55W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
晶体管应用
MOTOR CONTROL
漏源电压 (Vdss)
600V
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
15A
连续放电电流(ID)
7A
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大击穿电压
600V
接通时间
1160 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.6V @ 15V, 7A
闸门收费
33nC
集极脉冲电流(Icm)
60A
Td(开/关)@25°C
700ns/-
开关能量
3.5mJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STGD7NB60ST4拓展信息
STMicroelectronics
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